- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录506 > SFT1342-E (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 60V 12A TP
SFT1342
--12
ID -- VDS
--16
ID -- VGS
--11
--10
--4
.0V - -3.5V
--14
VDS= --10V
--9
--8
--7
--12
--10
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--3.0V
VGS= --2.5V
--8
--6
--4
--2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
140
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT15024
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT115025
Ta=25°C
120
100
140
120
6.0
V, I D
6.0
= --
, ID
V GS
.0A
4.5
= -- = --6
V GS V, I D
= --1
80
60
40
20
ID= --6A
100
80
60
40
20
4.0 = --
VGS
= --
V
0.0
A
A
0
--2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
5
3
2
10
7
5
| y fs | -- ID
° C
25
IT15026
VDS= --10V
3
2
--10
7
5
3
2
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15027
5 °
° C
3
2
1.0
7
Ta
=
--2
C
75
--1.0
7
5
3
2
5
3
2
0.1
--0.1
7
5
3
2
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2 3
--0.01
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
5
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td (off)
IT15028
VDD= --30V
VGS= --10V
3
2
1000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15029
f=1MHz
100
7
5
3
tf
7
5
3
2
2
10
7
tr
td(on)
100
7
5
Coss
Crss
5
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
3
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
Drain Current, ID -- A
IT15030
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15031
No. A1559-3/9
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
SFT1342-TL-E
MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA
SFT1345-H
MOSFET P-CH 100V 11A TP
SFT1350-TL-H
MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA
SFT1423-E
MOSFET N-CH 500V 2A TP
SFT1423-TL-E
MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
SFT1431-E
MOSFET N-CH 35V 11A TP
SFT1431-TL-E
MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
SFT1440-TL-E
MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
相关代理商/技术参数
SFT1342-TL-E
功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1345
制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1345-H
功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1345-TL-H
功能描述:MOSFET P-CH SWITCHING TP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SFT1350
制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1350-H
功能描述:MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1350-TL-H
功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT13G
功能描述:整流器 1A,150V,35NS,GLASS Pass,SUPER FAST Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel